SiC器件参数测试仪SiC MOS参数分析仪

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、纳安电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。SiC器件参数测试仪SiC MOS参数分析仪认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；

图5:IGBT测试系统图

    普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

“双高”系统优势

    高电压、大电流

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展至10kV)

    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

    高精度测量

     纳安级漏电流,μΩ级导通电阻

    0.1%精度测量

    模块化配置

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

    测试效率高

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

    支持国标全指标的一键测试

    扩展性好

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

“魔方”式的系统组成

   普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,主要由测试仪表、上位机软件、电脑、矩阵开关、夹具、高压及大电流信号线等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的静态测试主机,内置多种电压、电流等级的测量单元。结合自主开发的上位机软件控制测试主机,可根据测试项目需要,选择不同的电压、电流等级,以满足不同测试需求。

   系统主机的测量单元,主要包括普赛斯P系列高精度台式脉冲源表、HCPL系列高电流脉冲电源、E系列高压源测单元、C-V测量单元等。其中,P系列高精度台式脉冲源表用于栅极驱动与测试使用,Z大支持30V@10A脉冲输出与测试;HCPL系列高电流脉冲电源用于集电极、发射极之间电流测试及续流二极管的测试,15us的超快电流上升沿,自带电压采样,单设备支持Z大1000A脉冲电流输出;E系列高压源测单元用于集电极、发射极之间电压、漏电流测试,Z高支持3500V电压输出,并且自带电流测量功能。系统的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,精度为0.1%。

国标全指标的“一键”测试项目

   普赛斯现在可以提供完整的IGBT芯片和模块参数的测试方法,可以轻松实现静态参数l-V和C-V的测试，蕞终输出产品Datasheet报告。这些方法同样适用于宽禁带半导体SiC和GaN功率器件。

IGBT静态测试夹具方案

   针对市面上不同封装类型的IGBT产品,普赛斯提供整套夹具解决方案,可用于TO单管、半桥模组等产品的测试。

    普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表、脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室、新能源、光伏、风电、轨交、变频器等场景。更多有关SiC器件参数测试仪SiC MOS参数分析仪详情认准“普赛斯仪表”咨询，详询一八一四零六六三四七六；