半导体 分立器件测试设备 |
系统概述：
设备的扩展性强，通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。采用了脉冲测试法，脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。
基础配置：
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技术参数 |
ENJ2005-A型 |
ENJ2005-B型 |
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主极电压 |
10mV-2000V |
10mV-2000V |
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主极电流 |
100nA-50A |
100nA-50A |
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扩展电流 |
100A、200A、400A、500A |
250A、500A、750A、1000A、1250A |
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电压分辨率 |
1mV |
1mV |
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电流分辨率 |
100nA |
10nA(可扩展至10pA) |
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测试精度 |
0.5% 2LSB |
0.2% 2LSB |
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测试速度 |
0.5mS/参数Parameter |
0.5mS/参数Parameter |
测试范围：
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测试器件 |
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二极管 / DIODE |
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绝缘栅双较大功率晶体管 / IGBT |
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晶体管 / NPN型/PNP型 |
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MOS场效应管 / MOS-FET |
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J型场效应管 / J-FET |
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可控硅 / SCR |
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双向可控硅 / TRIAC |
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达林顿列阵 / DRALINTON |
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光电耦合 / OPTO-COUPLER |
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稳压、齐纳二极管 / ZENER |
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三端稳压器 / REGULATOR |
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双向触发二极管 / DIAC |
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硅触发可控硅 / STS |
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光电开关 / OPTO-SWITCH |
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光电逻辑 / OPTO-LOGIC |
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金属氧化物压变电阻 / MOV |
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固态过压保护器 / SSOVP |
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压变电阻 / VARISTOR |
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继电器 / RELAY |
测试参数：
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM VBB、BVR、VD 、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数：Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH 、IH-
锁定参数：IL、IL 、IL-